相對于傳統的KD*P 電光調制晶體，BBO(偏硼酸鋇β-BaB2O4)晶體具有極低的吸收系數，弱的壓電振鈴效應，更寬的光譜透過范圍（210-2000nm）等優點。相對于RTP 電光調制晶體，BBO 晶體具有更高的消光比、抗損傷閾值和溫度適應性，有利于提高激光輸出功率的穩定性。
因此，由BBO 晶體制成的電光Q 開關常被應用于高重復頻率（1MHz），高功率（高達1000W）的電光調Q 固體激光器，腔倒空調Q 激光器和全固態皮秒、飛秒再生放大激光系統中，我們也提供配套的調制、調Q、選單、再生放大等驅動電源。由于電光Q 開關的關斷時間（<4ns）遠短于聲光Q 開關的關斷時間（<100ns），因此，采用BBO 電光 Q 開關的全固態短腔調Q激光器可產生脈沖寬度小于4ns 的高能激光，是作為電光內雕機的首選光源。在無需水冷的情況下，BBO 電光Q 開關可關斷并承受高達150W 的腔內振蕩光功率（激光輸出功率高達50W）。
BBO 晶體缺點是電光系數小，半波電壓相對較高，因此可通過增長晶體長度、減少電極間距，以及采用兩塊BBO 晶體串聯方式來減少半波電壓和四分之波電壓。